明佳達電子｜Mitsubishi：RA13H8891MB｜RF MOSFETモジュール

基本情報(ニュ-＆オリジナル)
型番：　　　RA13H8891MB
メーカ：　　Mitsubishi
コード：　　2016+
鉛フリー / RoHS対応：はい

フィーチャー
• Enhancement-Mode MOSFET Transistors
(IDD@0 @ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>13W, hT>35% @ VDD=12.5V, VGG=5V(TBD),
Pin=1mW(TBD)
• Broadband Frequency Range: 880-915MHz
• Low-Power Control Current IGG=1mA (typ) at VGG=5V
• Module Size: 60.5 x 14 x 6.4 mm
• Linear operation is possible by setting the quiescent drain
current with the gate voltage and controlling the output power
with the input power

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